C, Thickness: 0.525mm, Monolayer thickness: 2-3nm, Substrate: SiO2 (300nm)/Si wafer (standard), Film morphology : Continous monolayer >95%, Sheet resistance: Av.<250-400 ohms/sq (after transfer), Mobility: >35000cm2/vs
Transmittance: >97%, Domain size: 10-20µm,
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